Энергонезависимая память
Энергонезависимая память (англ. Non-Volatile Random-Access Memory; NVRAM) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью[1].
В более общем смысле, энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения или способа активации памяти, к примеру: радиочастотная идентификация (технология RFID). Однако подпадающие под это определение носители информации, ПЗУ, ППЗУ, устройства с подвижным носителем информации (диски, ленты) и другие носят свои, более точные названия. Поэтому термин «энергонезависимая память» чаще всего употребляется более узко, по отношению к полупроводниковой БИС запоминающего устройства, которая обычно выполняется энергозависимой, и содержимое которой при выключении обычно пропадает.
Условно энергонезависимой памятью можно считать энергозависимую память, имеющую внешнее питание, например от батареи или аккумулятора. Например, часы на системной плате персонального компьютера и небольшая память для хранения настроек BIOS питаются от компактной батарейки, закреплённой на плате. Современные RAID-контроллеры могут оснащаться аккумулятором, который сохраняет данные в DRAM-памяти, используемой в качестве буфера[2][3].
В начале 2010-х годов наиболее широко распространённой энергонезависимой памятью большого объёма являлась флеш-память NAND (Charge Trap Flash).
Исследуется множество альтернативных технологий энергонезависимой памяти, некоторые из которых могли бы заменить флеш-память после её приближения к физическим пределам масштабирования, например: FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и ряд других[4][5][6]
См. также
- Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ, англ. ROM — Read-Only Memory) — энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.
Примечания
- ↑ Frank Vahid and Tony Givargis. Chapter 5: Memories // Embedded System Design: A Unified Hardware/software Introduction. — Wiley India Pvt. Limited, 2006. — 348 p. — ISBN 9788126508372.
- ↑ Sung Hoon Baek. Transparent Fast Resynchronization for Consumer RAID Digest of Technical Papers // IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE). — 2013. — С. 298—299. — ISBN 978-1-4673-1361-2. — ISSN 2158-3994. — doi:10.1109/ICCE.2013.6486902.: «High-end RAID systems utilize uninterruptible power supply (UPS) or battery-backed RAM to achieve both reliability and performance…high-end RAID system that uses UPS or battery- backed RAM to protect buffered data.»
- ↑ Shimin Chen. Exploiting Flash for Energy Efficient Disk Arrays (англ.). — «NVRAM (i.e., battery-backed RAM) as non-volatile write buffers.» Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано из оригинала 4 марта 2016 года.
- ↑ Kim, Kinam; Koh, Gwan-Hyeob. Future Memory Technology including Emerging New Memories (англ.). — Serbia and Montenegro: Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics, 2004. — P. 377—384.
- ↑ Tom Coughlin; Ed Grochowski.: Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (15 сентября 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 13 января 2015 года.
- ↑ Overview of emerging nonvolatile memory technologies Архивная копия от 16 мая 2022 на Wayback Machine // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526
Литература
- Аппаратные средства IBM PC. Энциклопедия, 2-е изд. / М. Гук, — СПб.: Питер, 2003. — 923 с.:ил., ISBN 5-318-00047-9
 | Для улучшения этой статьи желательно:
|
 | В другом языковом разделе есть более полная статья Non-volatile random-access memory (англ.). |